三分时时彩官网

应用材料推出新型沉积与选择性刻蚀系统，助力3D芯片尺寸微缩。新系统可在高深宽比3D逻辑和存储芯片结构中实现精密的材料工程处理。

Centris™ Spectral™ SiN ALD采用创新的微波等离子体技术，在复杂的3D结构中实现均匀的氮化硅沉积。

Producer™ Selectra™ Mo Etch可选择性地去除钼以实现字线隔离，从而助力3D NAND存储器的尺寸微缩。

领先的逻辑和存储芯片制造商正将这些新系统应用于先进制程节点的制造。